Память DDR4 4Gb PC21300 1.2B Patriot (PSD44G266682)
Оперативная память DDR4 Patriot. Объем 4Гб. Стандарт PC-21300. Частота 2666Мгц. CL19, 288-pin. Напряжение пиртания 1,2 В (PSD44G266682).

Память DDR4 4Gb PC19200 Kingston
Оперативная память DDR4 Kingston. Объем 4Гб. Стандарт PC-19200. Напряжение питания 1,2 В.

Память DDR4 4Gb PC19200 1.2V Patriot (PSD44G240082)
Оперативная память DDR4 Patriot. Объем 4Гб. Стандарт PC-19200. Частота 2400МГц. Напряжение питания 1,2 В (PSD44G240082)

Память DDR4 4Gb PC19200 1.2B Crucial
Оперативная память DDR4 Crucial. Объем 4Гб. PC-19200. Частота 2400МГц. 1,2 В.

Память DDR4 4Gb PC19200 1.2B Silicon Power
Оперативная память DDR4 Silicon Power. Объем 4Гб. PC-19200. Частота 2400МГц. 1,2 В.

Память DDR4 8Gb PC21300 1.2B Patriot
Оперативная память DDR4 Patriot. Объем 8Гб. Стандарт PC-21300. Частота 2666Мгц. 1,2 В.

Память DDR4 8Gb PC21300 1.2B Crucial (CT8G4DFS8266)
Оперативная память DDR4 Crucial. Объем 8Гб. Стандарт PC-21300. Частота 2666Мгц. CL19, 288-pin. Напряжение пиртания 1,2 В (CT8G4DFS8266).

Память DDR4 8Gb PC19200 CL17 1.2V Patriot
Оперативная память DDR4 Patriot. Объем 8Гб. Стандарт PC-19200. Напряжение питания 1,2 В.

Память DDR4 8Gb PC19200 Crucial 1,2В
Оперативная память DDR4 Crucial. Объем 8Гб. PC-19200. Напряжение питания 1,2 В.

Память DDR4 4Gb PC19200 1.2V Hynix
Оперативная память DDR4 Hynix. Объем 4Гб. Стандарт PC-19200. Напряжение питания 1,2 В.

Память DDR4 4Gb PC19200 1.2V Samsung
Оперативная память DDR4 Samsung. Объем 4Гб. Стандарт PC-19200. Напряжение питания 1,2 В.

Память DDR4 16Gb PC19200 CL17 1.2V Crucial
Оперативная память DDR4 Crucial. Объем 16 Гб. Стандарт PC-19200. Частота 2400МГц. Напряжение питания 1,2 В.

Память DDR4 8Gb PC19200 1,2В Samsung
Оперативная память DDR4 Samsung. Объем 8Гб. Стандарт PC-19200. Напряжение питания 1,2 В.